Characterization of Wide Bandgap Power Semiconductor Devices
USA) Knoxville University of Tennessee Fei (Professor Wang,
USA) General Electric Global Research Zheyu (Lead Power Electronics Engineer Zhang,
USA) Efficient Power Conversion Corporation Edward A. (Senior Applications Engineer Jones
Knihu koupíte v
1 e-shopu
od
3 906 Kč
Pokud se vám po kliknutí na tlačítko "Do obchodu" nezobrazí stránka knihy ve vybraném e-shopu, je třeba vypnout AdBlock ve vašem prohlížeči pro naši stránku.
Návod na vypnutí je například na adrese https://o.seznam.cz/jak-vypnout-adblock/#1.
Krátký popis
This book is an authoritative overview of Wide Bandgap (WBG) device
characterization providing essential tools to assist the reader in
performing both static and dynamic characterization of WBG devices,
particularly those based on using silicon carbide (SiC) and gallium
nitride (GaN) power semiconductors.
Výběr knih vydavatele
Institution of Engineering and Technology
Zobrazit všechny knihy vydavatele
Institution of Engineering and Technology
Naše tipy
